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    華為模擬電路的學習課件資料免費下載

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    上傳日期: 2020-05-25

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    資料介紹

    標簽:PN結(108)半導體(8586)模擬電路(793)

      總體說來,凡是實際使用中的有源電路中往往都有半導體晶體管。在形形色色的電子世界中,晶體管是絕大部分電路功能的實現者,是電子電路設計者必須掌握的基本要素。只有正確地理解掌握了基本的電路器件,才能設計出符合目的的,功能正常、性能可靠的電路。在電子世界飛速發展的今天,掌握基本器件是正確、可靠地使用集成器件所必須的輔助條件。本文將列出幾種最常用的晶體管器件進行簡介。

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      1.2準備知識:PN結簡介

      在硅[Si]、緒[Ge]、砷化擦[GaAs]等具有共價鍵的單晶本征半導體材料中,以特殊工藝[如高溫擴散、離子注入等]“攙雜”進一定濃度[106~1010]的其它特定原子,在不破壞原半導體共價鍵的情況下,使“雜質”原子在晶格的某些位置上替代原來材料的原子,因為原晶體的共價鍵結構的存在,以及雜質原子與晶體原子的自由電子數目不相等,那么在形成共價鍵后,雜質原子就會多出自由電子或者被共價鍵牽引而缺少了自由電子。從整個材料特性看來仍然對外界表現出電中性,但在晶格附近就會有多余的電子或者因缺少電子而形成了帶正電的“空穴”。有“多余”電子的攙雜材料就稱為Negative型半導體,帶“空穴”的攙雜材料就稱為PosiTIve型半導體。

      從電路結構上說來,PN結是一種特殊的材料接觸結構:將P型半導體以及N型半導體以特定的工藝進行原子級結合就可以形成PN結,PN結有這樣的特點:因P型半導體中的空穴、N型半導體中的電子互相“滲透”會形成一個接觸電場,方向為從N端指向P端。當分別在P、N端加上電壓時,PN結將表現出寶貴的單向導電性:P極加正電壓,N極加負電壓時接觸電場被削弱,PN結導通;N極加正電壓,P極加負電壓時接觸電場被增加,導致自由電子無法通過。在PN正向導通時,因接觸電場的存在,將會在結上形成一固定壓降,硅PN結的壓降一般為0.6V左右,鍺材料結的壓降為0.3~0.5V左右。鍺材料的溫度敏感性很強,其穩定性遠遠不如硅材料。PN結示意圖如圖1.1:

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