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    電子發燒友網 > 模擬技術 > IGBT/功率器件

    IGBT模塊驅動的安裝布局詳解

    IGBT模塊驅動的安裝布局詳解

    明確機械分布和寄生影響,逆變器中每個IGBT/驅動連接完全一樣,這樣器件的開關特性也相同。...

    2020-05-02 標簽:IGBT模塊IGBT模塊驅動 329

    IGBT器件在激光電源中的應用

    IGBT器件在激光電源中的應用

    絕緣柵雙極管(簡稱IGBT)集MOSFET和GTR一身,既具有輸入阻抗高、速度快、熱穩定性好和驅動電路簡單的特點,又具有通態電壓低、耐壓高和承受電流大等優點。...

    2020-05-02 標簽:IGBT器件激光電源 101

    IGBT開關特性的實例分享

    IGBT開關特性的實例分享

    IGBT器件T1通過雙脈沖信號兩次開通和關斷。換流的變化率di/dt導通過電阻RGon來調節的,VCC是直流母線電壓。...

    2020-05-02 標簽:IGBTIGBT開關 157

    IGBT的結構_功率MOSFET的垂直結構

    IGBT的結構_功率MOSFET的垂直結構

    功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上,它的密度是每平方毫米250.000個單元(50V功率MOS-FET)或者50.000單元(1200VIGBT)。...

    2020-05-02 標簽:IGBT功率MOSFET 132

    IGBT模塊的封裝技術介紹

    IGBT模塊的封裝技術介紹

    當焊接面很大時,因為焊接面的溫度變形系數不同,所以在溫度變化時,會產生焊接疲勞,直到脫焊。例如,不能使用這種焊接方法在銅底板上焊接大面積的陶瓷。...

    2020-05-02 標簽:IGBTIGBT模塊 176

    IGBT關斷振蕩的參數_IGBT關斷振蕩的應對措施

    IGBT關斷振蕩的參數_IGBT關斷振蕩的應對措施

    在電壓UCE緩慢上升時,柵極電壓處于密勒平臺,這個位移電流最初保持穩定并有助于維持平臺電壓恒定。...

    2020-05-02 標簽:IGBT振蕩 199

    IGBT短路振蕩的影響因素有哪些

    IGBT短路振蕩的影響因素有哪些

    在形成恒定短路電流后的很短時間內發生振蕩且可以在柵極電壓中觀測到明顯的電壓振蕩。...

    2020-05-02 標簽:IGBT短路 137

    一文詳解IGBT模塊并聯動態均流方法

    一文詳解IGBT模塊并聯動態均流方法

    動態工作指電力電子器件的開通和關斷過程。IGBT的開關頻率越高,動態均流問題對整個系統的影響就越大。...

    2020-05-02 標簽:IGBTIGBT模塊 219

    PT-IGBT與NPT-IGBT的區別

    PT-IGBT與NPT-IGBT的區別

    IGBT的結構多種多樣,但從縱向結構來看可歸為穿通型,非穿通型。這兩類IGBT的劃分依據為:臨界擊穿電壓下Pbase-Ndrift結耗盡層的擴展是否穿透了N-基區。...

    2020-04-10 標簽:IGBTigbt芯片 328

    電磁爐IGBT管代換遵循原則

    電磁爐IGBT管代換遵循原則

    IGBT是電磁爐常常容易損壞的元器件之一,經驗老到的維修人員對于電磁爐不工作,有時候很容易聯想到IGBT是否有問題,也正因為這樣,設計時候對IGBT進行溫度檢測,當溫度達到一定值時候斷開...

    2020-03-28 標簽:電磁爐IGBT管 453

    電磁爐核心元器件解析

    電磁爐核心元器件解析

    電磁爐在我們日常生活當中經常用到,其中它的工作原理是利用電磁感應原理,利用不斷變化的電流通過線圈的時候產生不斷改變的交變磁場,當處在交變磁場中的導體(也就是我們的鍋)的底...

    2020-03-28 標簽:元器件電磁爐 414

    三柵極的應用優勢及對高性能FPGA性能的影響以及

    三柵極的應用優勢及對高性能FPGA性能的影響以及

    2013年2月,Altera公司與Intel公司共同宣布了Altera下一代最高性能FPGA產品的生產將獨家采用Intel的14nm 3D Tri-Gate(三柵極)晶體管技術。這使得Altera成為當前采用最先進、最高性能半導體技術的獨家...

    2020-03-12 標簽:fpgamosfet晶體管 203

    特斯拉引爆IGBT市場商機 三大廠商旗艦產品逐個看

    特斯拉引爆IGBT市場商機 三大廠商旗艦產品逐個看

    特斯拉Model3標準版售價跌破30萬元在中國引發新能源車搶購潮。受益于全球電動汽車市場、充電樁對IGBT的巨大需求,IGBT的相關企業也迎來了發展的利好。電子發燒友匯總了英飛凌、士蘭微和比...

    2020-02-21 標簽:英飛凌比亞迪IGBT特斯拉 10536

    打破國際大廠的壟斷,士蘭微如何在IPM和IGBT領域找準賽道?

    打破國際大廠的壟斷,士蘭微如何在IPM和IGBT領域找準賽道?

    行業資深從業者表示,在中國本土功率器件市場,士蘭微是國內當之無愧的龍頭之一。士蘭微日前發布了2019年上半年業績報告,小編籍此為大家解讀該公司在功率半導體的IPM和IGBT領域最新產品...

    2019-09-03 標簽:芯片IGBT士蘭微功率器件 11691

    SiC需求增長快于供應(內附SiC器件主要供應商)

    SiC需求增長快于供應(內附SiC器件主要供應商)

    寬禁帶半導體材料越來越受行業歡迎。在碳化硅(SiC)正處于大力擴張之時,供應商都在努力滿足SiC功率器件和硅片市場的潛在需求。 譬如,Cree計劃投資高達10億美元來擴張其SiC晶圓產能。根...

    2019-07-19 標簽:功率器件SiC碳化硅 8513

    What ?55頁PPT就把Mosfet從入門到精通講清了!
    MC33GD3100高檔單路IGBT柵極驅動器

    MC33GD3100高檔單路IGBT柵極驅動器

    nxp公司的MC33GD3100是高檔單路IGBT柵極驅動器,集成了電流隔離和低開態電阻驅動晶體管,提供高充電和放電電流,低動態飽和電壓,軌到軌電壓控制,通過INTB引腳和SPI接口能管理嚴重故障并報告故障與...

    2019-05-01 標簽:驅動器IGBT 562

    出讓安世半導體股權,銀鴿投資將獲巨額收益

    出讓安世半導體股權,銀鴿投資將獲巨額收益

    2018年10月25日,河南銀鴿實業投資股份有限公司(下稱銀鴿投資)披露《關于出讓JW Capital 基金份額的提示性公告》。由于銀鴿投資通過JW Capital 基金間接持有安世半導體部分股權份額,此次出讓...

    2018-10-29 標簽:安世半導體 1791

    CMOS運算放大器擺動,為何可小于1到2毫伏

    CMOS運算放大器擺動,為何可小于1到2毫伏

    軌至軌放大器可產生極為接近接地的輸出電壓但到底接近到什么程度呢?我們談的是CMOS運算放大器。當你正努力最大化輸出電壓擺動時,它常用于低壓設計。這些器件的規格通常如下: 這讓它...

    2018-03-22 標簽:放大器CMOS晶體管 4892

    SiC性能在實際應用中已經超過GaN

    SiC性能在實際應用中已經超過GaN

    作者:United Silicon Carbide公司新產品導入經理Zhongda Li 寬帶隙器件的承諾 諸如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)器件是當前的熱門話題,這些器件承諾可以把從通用無線充電到功率轉...

    2018-02-28 標簽:場效應晶體管SiCGaN 7741

    關于MOS應用設計,這些要點不可忽視

    關于MOS應用設計,這些要點不可忽視

    這是網上評價非常高的一篇關于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識別,到極性的分辨,再到常用...

    2017-12-15 標簽:mos高功率因數 9027

    選擇IGBT還是MOSFET 讀了就知道了!

    選擇IGBT還是MOSFET 讀了就知道了!

    IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ,那已經是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛,MOSFET可以工作到幾百KHZ,上MHZ,以至幾十M...

    2017-12-11 標簽:mosfetigbt 16623

    辯證分析MOSFET與IGBT的內部結構與應用區別

    辯證分析MOSFET與IGBT的內部結構與應用區別

    這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應,使集電極/發射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應也導致了在ZVS情況下,在負載電流從組合封裝的反向并聯二極管轉換到 IGBT的集電極的瞬...

    2017-11-28 標簽:mosfetigbt 5386

    igbt模塊實物接線圖分析

    igbt模塊實物接線圖分析

     IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品;封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上;IGBT模...

    2017-11-23 標簽:igbt 41041

    IGBT模塊不同的內部結構和電路圖分析

    IGBT模塊不同的內部結構和電路圖分析

     IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低...

    2017-11-23 標簽:IGBT 31657

    igbt驅動電壓和功率分別是多少

    igbt驅動電壓和功率分別是多少

    在此根據長期使用IGBT的經驗并參考有關文獻對 IGBT驅動的電壓和功率做了一些總結,希望對廣大網友能夠提供幫助。...

    2017-11-23 標簽:電壓功率igbt驅動 17516

    來個簡單小測試,讓你真正了解晶體管

    來個簡單小測試,讓你真正了解晶體管

    半導體行業大致按照摩爾定律發展了半個多世紀,對二十世紀后半葉的世界經濟增長做出了貢獻,并驅動了一系列科技創新、生產效率的提高和經濟增長。...

    2017-10-30 標簽:集成電路摩爾定律晶體管 10103

    MOS管介紹

    MOS管介紹

    MOS管介紹在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,一般都要考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大...

    2017-10-24 標簽:MOS管 10461

    一種無輸出變壓器的功率放大器應用介紹

    一種無輸出變壓器的功率放大器應用介紹

    普通電子管功率放大器的輸出負載為動圈式揚聲器,其阻抗非常低,僅為4~16Ω,而一般功放電子管的內阻均比較高,在普通推挽功放中屏極至屏極的負載阻抗一般為5~10kΩ,故不能直接驅動低...

    2017-10-24 標簽:三極管功率放大器6sn7 12287

    深入理解MOSFET規格書及應用設計

    深入理解MOSFET規格書及應用設計

    MOS的導通電阻隨溫度上升而上升,下圖顯示該MOS的導通電阻在結溫為140度的時候,為20度時候的2倍。...

    2017-10-16 標簽:mosfet驅動電路功率mosfet 7154

    編輯推薦廠商產品技術軟件/工具OS/語言

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