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    電子發燒友網 > 電源/新能源 > 功率器件 > 正文

    Diodes推出新一代首款獨立 MOSFET

    2020年05月31日 11:33 ? 次閱讀

    Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨立 MOSFET。?DMN3012LEG?采用輕巧封裝,可提升效率,大幅節省各種電源轉換與控制產品應用的成本、電力與空間。

    DMN3012LEG 在單一封裝內整合雙 MOSFET,尺寸僅 3.3mm x 3.3mm,相較于典型雙芯片解決方案,電路板空間需求最多減少 50%。此節省空間的特點,有利于使用負載點 (PoL) 與電源管理模塊的一系列產品應用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉換器與半橋電源拓撲,以縮小功率轉換器解決方案的尺寸。

    降壓轉換器

    PowerDI??3333-8 D 型封裝的 3D 結構有助增加整體功率效率,且高電壓與額定電流大幅擴大其應用范圍。完全接地墊片設計可帶來良好的散熱效能,降低整個解決方案的運作溫度,還能善用高切換速度及其效率,免去大型電感器電容器的需求。

    DMN3012LEG?整合兩個 N 信道的增強模式 MOSFET,非常適合用于同步降壓轉換器的設計。此組件使用橫向擴散 MOS (LDMOS) 制程,結合快速導通和間斷動作,Q1 延遲時間僅 5.1ns 和 6.4ns,Q2 僅 4.4ns 和 12.4ns,且 Q1 最大導通電阻 (RDS(ON)) 在 Vgs=5V 時僅 12mΩ,Q2 在 Vgs=5V 時則是 6mΩ。若閘源極電壓為 10V,DMN3012LEG 可接受 30V 汲源極電壓,同時支持 5V 閘極驅動。

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    發表于 2020-04-05 10:04? 104次閱讀
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    MOSFET的結構和電學特性小結

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    發表于 2020-04-04 15:10? 147次閱讀
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    發表于 2020-04-03 18:26? 4346次閱讀
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    發表于 2020-04-02 15:37? 799次閱讀
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