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    侵權投訴

    投資160 億元!三安光電擬在長沙投建第三代半導體產業園項目

    Carol Li ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:李彎彎 ? 2020-06-17 10:08 ? 次閱讀

    6月17日,三安光電發布公告稱,公司擬在長沙成立子公司以現金160億元投資建設第三代半導體產業園項目。

    三安光電表示,根據公司發展戰略,經公司董事會研究,公司決定在長沙高新技術產業開發區管理委員會園區成立子公司投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目,包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業鏈,投資總額160億元,公司在用地各項手續和相關條件齊備后24個月內完成一期項目建設并實現投產,48個月內完成二期項目建設和固定資產投資并實現投產,72個月內實現達產。公司與長沙高新技術產業開發區管理委員會于2020年6月15日簽署《項目投資建設合同》。

    長沙高新技術產業開發區創建于1988年,1991年獲批全國首批國家級高新區。長沙高新區位于湘江以西、岳麓山下,總面積達到140平方公里,是長株潭國家“兩型社會”建設綜合配套改革試驗區、長株潭國家自主創新示范區和國家級湖南湘江新區“三區”疊加的核心區。長沙高新區依托強大的科技資源和產業創新優勢,先后獲批國家創新型科技園區、國家海外高層次人才創新創業基地、國家創新人才培養示范基地、國家科技與金融結合試點園區、國家生態工業示范園區、國家高技術產業化基地、新材料產業基地、軟件產業基地等20多個國家級產業基地。目前,在全國169個國家高新區綜合排名中,名列第11位。在工信部賽迪研究院發布的“中國產業園區競爭力100強”排行榜中,位居第10位。

    項目具體開發建設內容包括,在甲方園區研發、生產及銷售6吋SIC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiCMOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET,以甲方認可的乙方項目實施主體最終可研報告為準。

    公告顯示,三安光電主要從事Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料的研發與應用,致力于化合物半導體集成電路業務的發展,努力打造具有國際競爭力的半導體廠商。第三代半導體產業園項目有著廣闊的市場需求,現處于發展階段。本次投資項目符合國家產業政策規劃,符合公司產業發展方向和發展戰略,有利于提升公司行業地位及核心競爭力。

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