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    侵權投訴

    華為遇險,中芯“挺身而出”

    2020-06-16 16:23 ? 次閱讀

    美國當地時間5月15日,美國再次升級對華為禁令,再次將華為逼上絕路。今天,華為以“自古英雄多磨難”霸氣回應美國禁令。在疫情、貿易戰繼續升級的大背景下,華為芯片開始轉向中芯國際,未來,中芯國際會又怎樣的表現?

    美國禁令再升級,對華為下死手

    美國工業與安全部15日通過了最新修改的《外國直接產品規則(FDPR)》,宣布廠商只要給華為出售使用美國技術或設計的芯片時,必須得到美國政府的許可,即使是在美國以外生產的廠商也不例外。這意味著,無論是否是美國公司,只要產品中包含了美國的技術或設計,與華為合作前必須拿到美國政府許可證。

    市場上之前就傳出了美國有意加強對中國芯片出口的限制,如將源自美國技術比例限制標準降低至10%,結果比傳言更加嚴苛。這無疑是對華為“置之死地”的一招,美國政府甚至可以禁止臺積電為華為代工麒麟系列芯片。

    美方表示,這一限制令主要是為了保護美國國家安全。美國商務部長羅斯指責,華為與其國外關聯公司通過各種方法躲避了美國去年實行的實體清單限制。他表示:“我們必須修正被華為、海思利用的規定,防止利用美國科技打擊美國國家安全與外交政策利益的惡意行為?!?/p>

    美國在去年5月將華為及眾多子公司放上實體限制清單,要求美國企業向華為出口零部件與技術前,必須獲得美國政府批準。華為是世界上第二大手機生產商,此前每年向美國企業的采購額超過100億美元。

    自那時起,華為的芯片來源受到巨大影響。根據《日本經濟新聞》的報道,受到制裁的華為無法從美國采購后,華為產品中美國產零部件大幅減少。以Mate30 5G版為例,中國產零部件占比從25%上升至42%,而美國產零部件占比則從11%滑落至約1%。

    現在,新限制將進一步沖擊華為的海外芯片供應鏈。

    今天,華為在其華為心聲社區發文,引用中國古語“英雄自古多磨難”作出回應。

    華為遇險,中芯“挺身而出”

    華為遇險,中芯“挺身而出”

    中美貿易戰持續緊張的大環境下,我國政府和企業也加緊了向國內半導體制造商轉移的努力。僅在美國禁令發布的一個月前,華為榮耀 Play4T 系列正式發布。按照榮耀手機的介紹,榮耀 Play4T 6GB+128GB 售價 1199 元,搭載麒麟 710A 處理器。值得一提的是,麒麟 710A處理器由國內晶圓代工廠中芯國際 14nm FinFET 工藝代工。

    麒麟7系列的首款芯片是麒麟710,于2018年7月在華為發布的Nova 3i手機搭載出現,由臺積電代工,制程工藝12nm,主頻2.2GHz,八核。但榮耀Play 4T使用的麒麟710A則是中芯國際14nm生產。這款手機與華為商城線上出售的同款手機,有一個最大的不同點,就是背面絲印了SMIC 20(2000-2020)的Logo,以及一行文字標注:Powered by SMIC FinFET。

    2019 年中芯國際在先進制程方面取得了突破性進展,第一代 14nm FinFET 技術已進入量產,并在 2019 年四季度貢獻了約 1%的晶圓收入,預計 2020 年將穩健上量。目前,第二代 FinFET 技術平臺開始持續客戶導入。

    710A是中芯國際代工的首款麒麟芯片,對國內晶圓代工行業具有重要意義。中芯國際在先進制程的崛起,給處于中美貿易摩擦下的國內半導體設計公司提供了強大的保障。

    根據中芯國際的規劃,14nm 工藝產能今年將持續上量,月產能在今年 3 月達到 4K,7 月達到 9K,12 月達到 15K。

    昨天,中芯國際發表公告,兩大國家級投資基金——國家集成電路基金II及上海集成電路基金II分別注資15億、7.5億美元(約合160億元),此舉將推動國產14nm及以下工藝量產。

    這次兩大基金增資的目標是中芯南方,也就是中芯國際與多個公司合作成立的子公司,位于上海,其14nm、12nm工藝就是中芯南方生產的,整個項目投資高達90億美元,是國內建設的最先進的晶圓廠。

    中芯南方將主要從事集成電路芯片制造、針測及凸塊制造,與集成電路有關的技術開發、設計服務、光掩膜制造、裝配及最后測試,并銷售自產產品、批發、進╱出口相關上述產品、傭金代理(拍賣除外)及提供相關配套服務。

    中芯國際原本在中芯南方占比50.1%,在新的合約中,各方的股權將有所變化,中芯國際的股權將降至38.5%,其他分別由國家集成電路基金、國家集成電路基金II、上海集成電路基金及上海集成電路基金II擁有14.562%、23.077%、12.308%及11.538%權益。

    根據中芯國際的公告,目前中芯南方14nm的產能已經達到了6000片晶圓/月,這個速度還是很快的,去年底量產的時候據悉產能不過1000片晶圓/月,3月底的時候目標是4000片晶圓/月。

    中芯南方的最終目標產能是35000片晶圓/月,主要生產14nm及以下工藝先進晶圓,包括14nm改進型的12nm工藝,未來還有下一代的N+1、N+2代工藝。

    中芯國際超預期,先進制程加速突破

    根據中芯國際財報, 2020 年第一季銷售額為 90490 萬美元,較 2019 年第四季的 83940 萬美元增加 7.8%。單季度歸母凈利潤 6416 萬美元,同比增長 423%。2020 年第一季銷售額增加主要由于晶圓付運量增加所致。

    2020 年第一季的銷售成本為 67130 萬美元,相比 2019 年第四季為 64000 萬美元。2020 年第一季銷售成本中的折舊及攤銷為 21380 萬美元,相比 2019 年第四季為 19850 萬美元,主要由于晶圓付運量增加和產品組合變動所致。

    2020 年第一季毛利為 23360 萬美元,較 2019 年第四季的 19940 萬美增加 17.1%。2020年第一季毛利率為 25.8%,相比 2019 年第四季為 23.8%。本次毛利率符合預期,環比增長 2.0 個百分點,同比增長 7.6 個百分點。同時,公司指引 Q2 毛利率繼續提升。公司毛利率的強勁修復,主要由于較高的產能利用率、晶圓出貨量增加、產品組合改善,反映了半導體周期修復及國產替代的強勁需求。

    2020 年第一季的經營開支由2019 年第四季的17930 萬美元季度增加3.9%至18620 萬美元,變動主要是由于本季度收到作為其他經營收入的政府項目資金為 5930 萬美元,2019 年第四季為 7180 萬美元。

    2020 年第一季資本開支為 7.77 億美元,相比 2019 年第四季為 4.92 億美元。2020 年計劃的資本開支由約 32 億美元增加至約 43 億美元。增加的資本開支主要用于擁有多數股權的上海 300mm 晶圓廠的機器及設備,以及成熟工藝生產線。

    2020 年第一季單季度研發占比 18.4%(同比提升 6.9 個百分點)、管理費用 8.2%(同比提升 1.8 個百分點)、銷售費用 0.6%(同比下降 0.4 個百分點)。

    公司 2020 年一季度月產能 47.6 萬等價 8 寸片,環比增加 2.75 萬片等價 8 寸片。主要增量來自于中芯北方 300mm、天津 200mm。

    ▲中芯國際晶圓廠產能(片/月)

    公司 2020 年一季度單季度收入 9.05 億美元,同比增長 26%;單季度歸母凈利潤 6416萬美元,同比增長 423%。

    公司單季度毛利率 25.8%。公司在 4 月 7 日上調過 Q1 業績指引,毛利率指引區間25~27%。本次毛利率符合預期,環比增長 2.0 個百分點,同比增長 7.6 個百分點。同時,公司指引 Q2 毛利率繼續提升。公司毛利率的強勁修復,主要由于較高的產能利用率、晶圓出貨量增加、產品組合改善,反映了半導體周期修復及國產替代的強勁需求。

    ▲中芯國際營業收入(單位:百萬美元)

    工藝優化、效率提高,出貨量及毛利率雙提升。產能利用率維持在高位,20Q1 產能利用率為 98.5%(19Q4 為 98.8%),單季度出貨量同比增長 29%、環比增長 5%。受益于產品組合改善,ASP 單季度實現較大增長,等價 8 寸片從 19Q4 的 627 美元提升至 643美元。

    ▲中芯國際出貨量(萬片)

    5G、光學、TWS 拉動需求,90nm 以下產品比重提升明顯,12nm 啟動試生產。 環比占比提升的尺寸主要包括 14nm、28nm、55/65nm。一季度 14nm 占比 1.3%(環比提升0.3pct)、28nm 占比 6.5%(環比提升 1.5pct),55/65nm 占比 32.6%(環比提升 1.6pct) 。

    從制程上看,同比收入增速貢獻最大的分別為 14nm(+184% yoy)、55/65nm(+97%yoy)、0.25/0.35um(+31% yoy)、40/45nm(+27% yoy)。2020 年一季度,下游模擬、功率、指紋識別、圖像傳感器、利基型存儲等需求強勁,5G 手機射頻升級、光學升級、TWS 放量等應用拉動較快。

    根據法說會介紹,公司 14nm 產品覆蓋通訊、汽車等領域,并基于 14nm 向 12nm 延伸,啟動試生產,與客戶展開深入合作,目前進展良好,處于客戶驗證和鑒定階段。

    ▲中芯國際營業收入按制程劃分

    從終端應用的收入增速看,電腦收入增速 35.3%、通訊收入增速 53.8%、消費電子收入增速 47.4%、其他收入增速 8.5%。

    ▲中芯國際營業收入按應用劃分

    20Q1 資本開支 7.77 億美元,19Q4 資本開支 4.92 億美元。公司上調資本開支計劃,2020年資本開支從 32 億美元提升至 43 億美元,主要用于中芯南方 12 寸晶圓廠投資以及成熟工藝生產線。

    ▲中芯國際營業收入(單位:百萬美元)

    20Q1 單季度研發占比 18.4%(同比提升 6.9 個百分點)、管理費用 8.2%(同比提升 1.8個百分點)、銷售費用 0.6%(同比下降 0.4 個百分點)。

    二季度指引繼續增長,全年產品結構持續升級:季度收入環比提升 3~5%;毛利率 26~28%(環比繼續提升);經營開支 2.4~2.45 億美元。二季度仍是需求強勁的季度,客戶繼續下單且增長沒有放緩,客戶目前庫存水平較為健康。2020 年下半年的可見度仍然有限。公司展望全年收入增速預計 15~20%,毛利率高于 2019 年,產品結構持續升級,增長動力加速改善。

    中芯國際是國內先進制程追趕的重要平臺。梁孟松加入中芯國際以來,開始加大技術投入和追趕,14nm 的量產便是標志性事件。14nm 開始擴產,同時更先進的技術制程也會快加推進。14nm 的突破只是開始,未來更先進制程上有望大幅縮小與臺積電的代際差異。

    資本開支上調 11 億美元至 43 億美元,資本開支加速,制程追趕和研發投入加碼,14nm量產之后,N+1/N+2 更值得期待。預計隨著 14nm 產能擴充,占比有望持續提高,計劃年底產能擴到 1.5 萬片/月。N+1 新平臺開始有客戶導入,研發投入轉換率加快提高。N+1 相比于 14nm,性能提升 20%、功耗降低 57%、邏輯面積降低 63%,意味著除了性能,其他指標均與 7nm 工藝相似,N+2 則有望在此基礎上將性能提升至 7nm 水平。

    中芯國際回歸,國產晶圓制造崛起,帶動國產鏈地位全面提升。中芯國際公布將于科創板上市,國產晶圓制造龍頭強勢回歸 A 股,公司技術研發和產能擴充有望提速 。

    ▲中芯國際與臺積電量產制程代際差

    華為爭端往往超出經貿范疇,涉及中美科技競爭、國家安全等因素,但它往往與兩國貿易談判進程息息相關。美國再次將華為禁令升級,無疑是一次“搬起石頭砸自己的腳”的行為, 此舉再打擊華為的同時,更多的傷害了美國半導體芯片行業的利益。并且,隨著中芯國際的崛起,此次禁令或許又給一家中國企業送出了“神助攻”。
    ? ? ? ?責任編輯:pj

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    中國芯片產業正在壯大

    比亞迪半導體完成A+輪融資,共引入30個投資方,融資8億元

    2020年6月15日晚間,比亞迪(002594)發布關于控股子公司引入戰略投資者的公告,旗下比亞迪半....
    的頭像 電子魔法師 發表于 06-16 15:53 ? 351次 閱讀
    比亞迪半導體完成A+輪融資,共引入30個投資方,融資8億元

    氮化鎵材質的FET取代了傳統的硅材料

    最近風靡的氮化鎵充電器,對我們消費者最直觀的感覺就是小。當然,在充電功率等同的情況下,體積越大的充電....
    的頭像 lhl545545 發表于 06-16 15:50 ? 137次 閱讀
    氮化鎵材質的FET取代了傳統的硅材料

    國家電網與華為騰訊等企業合作,預計帶動社會投資達1000億元

    6月16日,國家電網公司在北京發布了“數字新基建”重點建設任務,并與國內大型互聯網企業簽署戰略合作協....
    的頭像 電子魔法師 發表于 06-16 15:23 ? 264次 閱讀
    國家電網與華為騰訊等企業合作,預計帶動社會投資達1000億元

    美國的半導體依然是全球領先

    但格羅方德近幾年的運營泛善可陳,營收不利的情況下,格羅方德在 2018 年 9 月宣布停止(至少是暫....
    的頭像 lhl545545 發表于 06-16 15:20 ? 468次 閱讀
    美國的半導體依然是全球領先

    分析:美國繼續對華為打擊,或將阻礙企業發展,加劇分裂

    美國繼續加大對華為和其他中國科技公司的制裁,旨在阻止中國在關鍵技術領域趕上或超越美國,但它們卻產生了....
    的頭像 電子魔法師 發表于 06-16 15:12 ? 227次 閱讀
    分析:美國繼續對華為打擊,或將阻礙企業發展,加劇分裂

    華為旗下哈勃投資VCEL企業縱慧芯光

    企查查顯示,華為旗下哈勃科技投資有限公司近日新增一家對外投資——常州縱慧芯光半導體科技有限公司(以下....
    的頭像 電子魔法師 發表于 06-16 14:56 ? 229次 閱讀
    華為旗下哈勃投資VCEL企業縱慧芯光

    福布斯公布全球企業2000強榜單:50家半導體企業入圍

    前段時間,美國雜志《福布斯》發布了2020年全球企業2000強榜單。這份榜單是以上市公司為入圍門檻,....
    的頭像 電子魔法師 發表于 06-16 14:51 ? 147次 閱讀
    福布斯公布全球企業2000強榜單:50家半導體企業入圍

    華為和南方電網合作打造首個智能“有序充電”場站示范成功

    6月15日消息,南網電動攜手華為基于智能電力物聯網開展聯合創新,并于近日在深圳碧新路成功示范首個智能....
    的頭像 牽手一起夢 發表于 06-16 14:51 ? 235次 閱讀
    華為和南方電網合作打造首個智能“有序充電”場站示范成功

    華為最新消息:美允許美企與華為合作制定5G標準 孟晚舟案再次開庭

    美國將修改針對與華為有業務往來的美國公司禁令,允許他們與華為共同制定5G網絡標準。
    的頭像 inr999 發表于 06-16 14:40 ? 818次 閱讀
    華為最新消息:美允許美企與華為合作制定5G標準 孟晚舟案再次開庭

    華為: 部分必不可少的電信設備芯片將在2021年初用盡

    據彭博社報道,在特朗普政府的輪番打擊之下,尤其是5月份新的出口管制規則以來,華為處境越來越艱難。知情....
    的頭像 電子魔法師 發表于 06-16 14:36 ? 225次 閱讀
    華為: 部分必不可少的電信設備芯片將在2021年初用盡

    FinFET是一種新的互補式金氧半導體晶體管

    IEEE獎勵計劃分為三種類型:IEEE Medals(獎章), Technical Field Aw....
    的頭像 lhl545545 發表于 06-16 14:34 ? 115次 閱讀
    FinFET是一種新的互補式金氧半導體晶體管

    工業RFID應用之技術篇(八),RFID讀卡器的通信方式

    這段時間美國針對華為的限制越演越烈,施壓臺積電、威脅英國、加拿大,下一代5G通信市場的巨大利益使得美....
    發表于 06-16 14:10 ? 21次 閱讀
    工業RFID應用之技術篇(八),RFID讀卡器的通信方式

    比亞迪將與華為展開合作,采用華為麒麟芯片打造真正的智能車

    漢EV是比亞迪新出的一款車型其實華為和比亞迪的合作由來已久。在2018年的時候,華為就聯合了一批車企....
    的頭像 牽手一起夢 發表于 06-16 11:42 ? 449次 閱讀
    比亞迪將與華為展開合作,采用華為麒麟芯片打造真正的智能車

    國家電網發力數字新基建,與互聯網巨頭簽署戰略合作協議

    據消息報道,6月15日,國家電網對外發布“數字新基建”十大重點建設任務,并與華為、阿里、騰訊、百度等....
    的頭像 牽手一起夢 發表于 06-16 11:25 ? 159次 閱讀
    國家電網發力數字新基建,與互聯網巨頭簽署戰略合作協議

    調查:71%的5G手機用戶沒用5G套餐,中高檔價格的5G手機更受用戶青睞

    調查有四大發現:4 3.04%的5G手機用戶買了華為;持有5G手機的用戶中,有高達7 1%左右的用戶....
    的頭像 牽手一起夢 發表于 06-16 11:13 ? 246次 閱讀
    調查:71%的5G手機用戶沒用5G套餐,中高檔價格的5G手機更受用戶青睞

    ARM加入“反華為5G聯盟”,但絕對不能夠對華為造成致命打擊

    相信大家都知道,最近美國也是突然宣布加大對于華為的限制力度,根據美國商務部最新公布的“新規”顯示,美....
    的頭像 牽手一起夢 發表于 06-16 11:09 ? 622次 閱讀
    ARM加入“反華為5G聯盟”,但絕對不能夠對華為造成致命打擊

    瞄準化合物半導體砷化鎵領域,這個項目落戶江蘇

    近日,太極實業發布公告稱,公司控股子公司信息產業電子第十一設計研究院科技工程股份有限公司(“十一科技....
    的頭像 電子魔法師 發表于 06-16 11:09 ? 231次 閱讀
    瞄準化合物半導體砷化鎵領域,這個項目落戶江蘇

    芯片制造產業和OLED顯示制造業對電子氣體需求量極速攀升

    在電子氣體領域,空氣化工、林德-普萊克斯、液化空氣、大陽日酸等國際氣體公司占據著中國絕大部分電子氣體....
    的頭像 lhl545545 發表于 06-16 11:08 ? 214次 閱讀
    芯片制造產業和OLED顯示制造業對電子氣體需求量極速攀升

    建設半導體生產制造及封裝基地項目,這個項目簽約鄭州

    近日,鄭州航空港實驗區管委會、中國航天科技集團第九研究院第七七一研究所、達維多企業管理有限公司簽訂戰....
    的頭像 電子魔法師 發表于 06-16 11:04 ? 231次 閱讀
    建設半導體生產制造及封裝基地項目,這個項目簽約鄭州

    華為、蘋果、三星、高通誰才是SOC的無冕之王?

    四大旗艦處理器相繼曝光,華為、蘋果、三星、高通誰才是SOC的無冕之王?...
    發表于 06-03 14:41 ? 153次 閱讀
    華為、蘋果、三星、高通誰才是SOC的無冕之王?

    芯片失效分析步驟

    芯片失效分析步驟 1. 開封前檢查,外觀檢查,X光檢查,掃描聲學顯微鏡檢查。2. 開封顯微鏡檢查。3. 電性能分析,缺陷定位技術、...
    發表于 05-18 14:25 ? 617次 閱讀
    芯片失效分析步驟

    嵌入式系列:FPGA專題資料合集

    精選資料: FPGA干貨合集,菜鳥起飛必收藏! 包含: HELLO FPGA軟件工具篇 HELLO FPGA硬件語法篇 H...
    發表于 05-15 15:48 ? 1078次 閱讀
    嵌入式系列:FPGA專題資料合集

    半導體失效分析方法總結

    失效分析(FA)是一門發展中的新興學科,近年開始從軍工向普通企業普及。它一般根據失效模式和現象,通過分析和驗證,模擬重現...
    發表于 05-15 10:49 ? 234次 閱讀
    半導體失效分析方法總結

    【限時免費直播】TRIAC雙向可控硅的設計與實踐(四象限工作模式+恒功率控制實現)

    【白紀龍老師相關課程推薦】 白紀龍—《每天20分鐘!深入掌握半導體功率器件應用與設計》 點擊鏈接立即了解: 一、直播標題...
    發表于 05-09 16:16 ? 655次 閱讀
    【限時免費直播】TRIAC雙向可控硅的設計與實踐(四象限工作模式+恒功率控制實現)

    【免費直播】大咖直播:10年+硬件導師教你消費類產品接口電路設計

    一、直播主題:電源入口電路設計關鍵+SCR導通特性深度解析 二、戳此鏈接立即報名: 很多電子工程師在進行接口電路設...
    發表于 05-09 15:44 ? 1296次 閱讀
    【免費直播】大咖直播:10年+硬件導師教你消費類產品接口電路設計

    [免費直播】TRIAC雙向可控硅的設計與實踐(四象限工作模式+恒功率控制實現)

    一、直播標題:TRIAC雙向可控硅的設計與實踐(四象限工作模式+恒功率控制實現) 二、戳此鏈接立即報名: 三、為什么開設這門...
    發表于 05-09 15:28 ? 539次 閱讀
    [免費直播】TRIAC雙向可控硅的設計與實踐(四象限工作模式+恒功率控制實現)

    【免費直播】電源入口如何設計?SCR是如何實現的EMS防護?

    一、直播主題:電源入口電路設計關鍵+SCR導通特性深度解析 二、直播免費報名鏈接: 三、為什么開設這門直播課程?(1)接口...
    發表于 04-30 14:32 ? 1194次 閱讀
    【免費直播】電源入口如何設計?SCR是如何實現的EMS防護?

    2020第六屆深圳國際半導體石英材料及制品應用展

    發表于 04-25 10:00 ? 360次 閱讀
    2020第六屆深圳國際半導體石英材料及制品應用展

    LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

    LM3xxLV系列包括單個LM321LV,雙LM358LV和四個LM324LVoperational放大器或運算放大器。這些器件采用2.7 V至5.5 V的低電壓工作。 這些運算放大器是LM321,LM358和LM324的替代產品,適用于對成本敏感的低電壓應用。一些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品。 LM3xxLV器件在低電壓下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。運算放大器在單位增益下穩定,在過驅動條件下不會反相。 ESD設計為LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM規格。 LM3xxLV系列提供具有行業標準的封裝。這些封裝包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 用于成本敏感系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1 mV 共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1 MHz 低寬帶噪聲:40 nV /√ Hz < li>低靜態電流:90μA/Ch 單位增益穩定 工作電壓為2.7 V至5.5 V 提供單,雙和四通道變體 穩健的ESD規范:2 kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
    發表于 01-08 17:51 ? 1162次 閱讀
    LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

    TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

    TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分別是單,雙和四運算放大器。這些器件針對1.8 V至5.5 V的低電壓工作進行了優化。輸入和輸出可以以非常高的壓擺率從軌到軌工作。這些器件非常適用于需要低壓工作,高壓擺率和低靜態電流的成本受限應用。這些應用包括大型電器和三相電機的控制。 TLV905x系列的容性負載驅動為200 pF,電阻性開環輸出阻抗使容性穩定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因為器件是統一的 - 增益穩定,包括一個RFI和EMI濾波器,在過載條件下不會發生反相。 特性 高轉換率:15 V /μs 低靜態電流:330μA 軌道-to-Rail輸入和輸出 低輸入失調電壓:±0.33 mV 單位增益帶寬:5 MHz 低寬帶噪聲:15 nV /√ Hz 低輸入偏置電流:2 pA Unity-Gain穩定 內部RFI和EMI濾波器 適用于低成本應用的可擴展CMOS運算放大器系列 工作電壓低至1.8 V 由于電阻開環,電容負載更容易穩定輸出阻抗 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
    發表于 01-08 17:51 ? 253次 閱讀
    TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

    TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

    TMP422是具有內置本地溫度傳感器的遠程溫度傳感器監視器。遠程溫度傳感器具有二極管連接的晶體管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 類晶體管或者作為微控制器,微處理器,或者FPGA組成部分的二極管。 無需校準,對多生產商的遠程精度是±1°C。這個2線串行接口接受SMBus寫字節,讀字節,發送字節和接收字節命令對此器件進行配置。 TMP422包括串聯電阻抵消,可編程非理想性因子,大范圍遠程溫度測量(高達150℃),和二極管錯誤檢測。 TMP422采用SOT23-8封裝。 特性 SOT23-8封裝 ±1°C遠程二極管傳感器(最大值) ±2.5°C本地溫度傳感器(最大值) 串聯電阻抵消 n-因子校正 兩線/SMBus串口 多重接口地址 二極管故障檢測 RoHS兼容和無Sb /Br 參數 與其它產品相比?數字溫度傳感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
    發表于 01-08 17:51 ? 228次 閱讀
    TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

    LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

    LP8733xx-Q1專為滿足的電源管理要求而設計,這些處理器和平臺用于汽車應用中的閉環性能。該器件具有兩個可配置為單個兩相穩壓器或兩個單相穩壓器的降壓直流/直流轉換器和兩個線性穩壓器以及通用數字輸出信號。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動PWM /PFM(AUTO模式)操作與自動相位增加/減少相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持遠程電壓檢測(采用兩相配置的差分),可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8733xx-Q1器件支持可編程啟動和關斷延遲與排序(包括與使能信號同步的GPO信號)。在啟動和電壓變化期間,器件會對出轉換率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:器件溫度 1 級:-40℃ 至 +125℃ 的環境運行溫度范圍輸入電壓:2.8V 至 5.5V兩個高效降壓直流/直流轉換器:輸出電壓:0.7V 至 3.36V最大輸出電流 3A/相采用兩相配置的自動相位增加/減少和強制多相操作采用兩相配置的遠...
    發表于 01-08 17:51 ? 263次 閱讀
    LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

    TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

    TPS3840系列電壓監控器或復位IC可在高電壓下工作,同時在整個V DD 上保持非常低的靜態電流和溫度范圍。 TPS3840提供低功耗,高精度和低傳播延遲的最佳組合(t p_HL =30μs典型值)。 當VDD上的電壓低于負電壓閾值(V IT - )或手動復位拉低邏輯(V MR _L )。當V DD 上升到V IT - 加滯后(V IT + )和手動復位( MR )時,復位信號被清除)浮動或高于V MR _H ,復位時間延遲(t D )到期??梢酝ㄟ^在CT引腳和地之間連接一個電容來編程復位延時。對于快速復位,CT引腳可以懸空。 附加功能:低上電復位電壓(V POR ), MR 和VDD的內置線路抗擾度保護,內置遲滯,低開漏輸出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的電壓監測解決方案,適用于工業應用和電池供電/低功耗應用。 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 特性 寬工作電壓:1.5 V至10 V 納米電源電流:350 nA(典型值) 固定閾值電壓(V IT - ) 閾值從1.6 V到4.9 V,步長為0.1 V 高精度:1%(典型值) 內置滯后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
    發表于 01-08 17:51 ? 497次 閱讀
    TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

    INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

    INA240-SEP器件是一款電壓輸出,電流檢測放大器,具有增強的PWM反射功能,能夠在寬共模電壓下檢測分流電阻上的壓降范圍為-4V至80V,與電源電壓無關。負共模電壓允許器件在地下工作,適應典型電磁閥應用的反激時間。 EnhancedPWM抑制為使用脈沖寬度調制(PWM)信號的大型共模瞬變(ΔV/Δt)系統(如電機驅動和電磁閥控制系統)提供高水平的抑制。此功能可實現精確的電流測量,無需大的瞬態電壓和輸出電壓上的相關恢復紋波。 該器件采用2.7 V至5.5 V單電源供電,最大電源電流為2.4 mA 。固定增益為20 V /V.零漂移架構的低失調允許電流檢測,分流器上的最大壓降低至10 mV滿量程。 特性 VID V62 /18615 抗輻射 單事件閂鎖(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圓批次可達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空間增強塑料 受控基線 金線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一個裝配和測試現場 一個制造現場 可用于軍用(-55°C至125°C)溫度范圍 ExtendedProduct生命周期 擴展產品更改通知 產品可追溯性 用于低釋氣的增強型模具化合物 增強型PWM抑制 出色...
    發表于 01-08 17:51 ? 187次 閱讀
    INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

    LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

    LM96000硬件監視器具有與SMBus 2.0兼容的雙線數字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000測量: 兩個遠程二極管連接晶體管及其自身裸片的溫度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V電源(內部定標電阻)。 為了設置風扇速度,LM96000有三個PWM輸出,每個輸出由三個溫度區域之一控制。支持高和低PWM頻率范圍。 LM96000包括一個數字濾波器,可調用該濾波器以平滑溫度讀數,從而更好地控制風扇速度。 LM96000有四個轉速計輸入,用于測量風扇速度。包括所有測量值的限制和狀態寄存器。 特性 符合SMBus 2.0標準的2線制串行數字接口 8位ΣΔADC 監控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/處理器電源 監控2個遠程熱二極管 基于溫度讀數的可編程自主風扇控制 風扇控制溫度讀數的噪聲過濾 1.0°C數字溫度傳感器分辨率 3 PWM風扇速度控制輸出 提供高低PWM頻率范圍 4風扇轉速計輸入 監控5條VID控制線 24針TSSOP封裝 XOR-tree測試模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
    發表于 01-08 17:51 ? 363次 閱讀
    LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

    LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

    LM63是一款帶集成風扇控制的遠程二極管溫度傳感器。 LM63精確測量:(1)自身溫度和(2)二極管連接的晶體管(如2N3904)或計算機處理器,圖形處理器單元(GPU)和其他ASIC上常見的熱敏二極管的溫度。 LM63遠程溫度傳感器的精度針對串聯電阻和英特爾0.13μm奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱敏二極管的1.0021非理想性進行了工廠調整。 LM63有一個偏移寄存器,用于校正由其他熱二極管的不同非理想因素引起的誤差。 LM63還具有集成的脈沖寬度調制(PWM)開漏風扇控制輸出。風扇速度是遠程溫度讀數,查找表和寄存器設置的組合。 8步查找表使用戶能夠編程非線性風扇速度與溫度傳遞函數,通常用于靜音聲學風扇噪聲。 特性 準確感應板載大型處理器或ASIC上的二極管連接2N3904晶體管或熱二極管 準確感知其自身溫度< /li> 針對英特爾奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱二極管的工廠調整 集成PWM風扇速度控制輸出 使用用戶可編程降低聲學風扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 輸出或轉速計輸入,功能的多功能,用戶可選引腳 用于測量風扇RPM的轉速計輸入< /li> 用于測量典型應用中脈沖寬度調制功率的風扇轉速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可針對...
    發表于 01-08 17:51 ? 474次 閱讀
    LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

    AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

    AWR1843器件是一款集成的單芯片FMCW雷達傳感器,能夠在76至81 GHz頻段內工作。該器件采用TI的低功耗45納米RFCMOS工藝制造,可在極小的外形尺寸內實現前所未有的集成度。 AWR1843是汽車領域低功耗,自監控,超精確雷達系統的理想解決方案。 AWR1843器件是一款獨立的FMCW雷達傳感器單芯片解決方案,可簡化在76至81 GHz頻段內實施汽車雷達傳感器。它基于TI的低功耗45納米RFCMOS工藝,可實現具有內置PLL和A2D轉換器的3TX,4RX系統的單片實現。它集成了DSP子系統,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷達信號處理。該設備包括BIST處理器子系統,負責無線電配置,控制和校準。此外,該器件還包括一個用戶可編程ARM R4F,用于汽車接口。硬件加速器模塊(HWA)可以執行雷達處理,并可以幫助在DSP上保存MIPS以獲得更高級別的算法。簡單的編程模型更改可以實現各種傳感器實現(短,中,長),并且可以動態重新配置以實現多模傳感器。此外,該設備作為完整的平臺解決方案提供,包括參考硬件設計,軟件驅動程序,示例配置,API指南和用戶文檔。 特性 FMCW收發器 集成PLL,發送器,接收...
    發表于 01-08 17:51 ? 1277次 閱讀
    AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

    OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

    OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度運算放大器是超低噪聲,快速穩定,零漂移,零交叉器件,可實現軌到軌輸入和輸出運行。這些特性及優異交流性能與僅為0.25μV的偏移電壓以及0.005μV/°C的溫度漂移相結合,使OPAx388成為驅動高精度模數轉換器(ADC)或緩沖高分辨率數模轉換器(DAC)輸出的理想選擇。該設計可在驅動模數轉換器(ADC)的過程中實現優異性能,不會降低線性度.OPA388(單通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三種封裝.OPA2388(雙通道版本)提供VSSOP-8和SO-8兩種封裝.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14兩種封裝。上述所有版本在-40°C至+ 125°C擴展工業溫度范圍內額定運行。 特性 超低偏移電壓:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR實際RRIO 低噪聲:1kHz時為7.0nV /√ Hz 無1 /f噪聲:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩定:2μs(1V至0.01%) 增益帶寬:10MHz 單電源:2.5V至5.5V 雙電源:±1.25V至±2.75V 真實軌到軌輸入和輸出 已濾除電磁干擾( EMI)/射頻干擾(RFI)的輸入 行業標...
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    OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

    TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

    TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和四通道運算放大器是新一代低功耗,通用運算放大器的典型代表。該系列器件具有軌到軌輸入和輸出(RRIO)擺幅,低靜態電流(5V時典型值為150μA),3MHz高帶寬等特性,非常適用于需要在成本與性能間實現良好平衡的各類電池供電型應用。 TLVx314-Q1系列可實現1pA低輸入偏置電流,是高阻抗傳感器的理想選擇。 TLVx314-Q1器件采用穩健耐用的設計,方便電路設計人員使用。該器件具有單位增益穩定性,支持軌到軌輸入和輸出(RRIO),容性負載高達300PF,集成RF和EMI抑制濾波器,在過驅條件下不會出現反相并且具有高靜電放電(ESD)保護(4kV人體模型(HBM))。 此類器件經過優化,適合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低電壓狀態下工作并可在-40°C至+ 125°C的擴展工業溫度范圍內額定運行。 TLV314-Q1(單通道)采用5引腳SC70和小外形尺寸晶體管(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版本)采用8引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝和超薄外形尺寸(VSSOP)封裝。四通道TLV4314-Q1采用14引腳薄型小外形尺寸(TSSOP)封裝。 特性 符合汽車類應用的要求 具...
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    TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

    DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

    DRV5021器件是一款用于高速應用的低壓數字開關霍爾效應傳感器。該器件采用2.5V至5.5V電源工作,可檢測磁通密度,并根據預定義的磁閾值提供數字輸出。 該器件檢測垂直于封裝面的磁場。當施加的磁通密度超過磁操作點(B OP )閾值時,器件的漏極開路輸出驅動低電壓。當磁通密度降低到小于磁釋放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和B RP 分離產生的滯后有助于防止輸入噪聲引起的輸出誤差。這種配置使系統設計更加強大,可抵抗噪聲干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的寬環境溫度范圍內始終如一地工作。 特性 數字單極開關霍爾傳感器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 范圍 磁敏感度選項(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感應帶寬 開漏輸出能夠達到20 mA 優化的低壓架構 集成滯后以增強抗噪能力 工作溫度范圍:-40° C至+ 125°C 標準工業封裝: 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?霍爾效應鎖存器和開關 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
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    DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

    TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

    TLV1805-Q1高壓比較器提供寬電源范圍,推挽輸出,軌到軌輸入,低靜態電流,關斷的獨特組合和快速輸出響應。所有這些特性使該比較器非常適合需要檢測正或負電壓軌的應用,如智能二極管控制器的反向電流保護,過流檢測和過壓保護電路,其中推挽輸出級用于驅動柵極p溝道或n溝道MOSFET開關。 高峰值電流推挽輸出級是高壓比較器的獨特之處,它具有允許輸出主動驅動負載到電源軌的優勢具有快速邊緣速率。這在MOSFET開關需要被驅動為高或低以便將主機與意外高壓電源連接或斷開的應用中尤其有價值。低輸入失調電壓,低輸入偏置電流和高阻態關斷等附加功能使TLV1805-Q1足夠靈活,可以處理幾乎任何應用,從簡單的電壓檢測到驅動單個繼電器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100標準,采用6引腳SOT-23封裝,額定工作溫度范圍為-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下結果: DeviceTemperature 1級:-40°C至+ 125°C環境溫度工作溫度 器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源范圍 低靜態電流:每個比較器150μA 兩個導軌以外的輸入共模范圍 相位反轉保護 推 - 拉輸出 250ns傳播延遲 低輸入失...
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    TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

    TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

    這個遠程溫度傳感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶體管,或者基板熱晶體管/二極管,這些器件都是微處理器,模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC),微控制器或現場可編程門陣列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和遠程傳感器均用12位數字編碼表示溫度,分辨率為0.0625°C。此兩線制串口接受SMBus通信協議,以及多達9個不同的引腳可編程地址。 該器件將諸如串聯電阻抵消,可編程非理想性因子(η因子),可編程偏移,可編程溫度限制和可編程數字濾波器等高級特性完美結合,提供了一套準確度和抗擾度更高且穩健耐用的溫度監控解決方案。 TMP461-SP是在各種分布式遙測應用中進行多位置高精度溫度測量的理想選擇這類集成式本地和遠程溫度傳感器可提供一種簡單的方法來測量溫度梯度,進而簡化了航天器維護活動。該器件的額定電源電壓范圍為1.7V至3.6V,額定工作溫度范圍為-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV標準:5962-1721801VXC 熱增強型HKU封裝 經測試,在50rad /s的高劑量率(HDR)下,可抵抗高達50krad(Si)的電離輻射總劑量(TID) 經測試,在10mrad /s的低劑量率(LDR)下,可抵抗高達100krad(Si)的電離輻射...
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    TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

    LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

    LP87524B /J /P-Q1旨在滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求。該器件包含四個降壓DC-DC轉換器內核,配置為4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自動PFM /PWM(自動模式)操作可在寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測,以補償穩壓器輸出和負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,開關時鐘可以強制為PWM模式,也可以與外部時鐘同步,以最大限度地減少干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件支持負載電流測量,無需增加外部電流檢測電阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支持可編程的啟動和關閉延遲以及與信號同步的序列。這些序列還可以包括GPIO信號,以控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位。在啟動和電壓變化期間,器件控制輸出壓擺率,以最大限度地減少輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車應用要求 AEC-Q100符合以下結果: 設備溫度等級1:-40°C至+ 125°C環境工作溫度 輸入電壓:2.8 V至5.5 V 輸出電壓:0.6 V至3.36 V 四個高效降壓型DC-DC轉換器內核: 總輸出電流高達10 A 輸出電壓漏電率...
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    LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

    TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

    TAS2562是一款數字輸入D類音頻放大器,經過優化,能夠有效地將高峰值功率驅動到小型揚聲器應用中。 D類放大器能夠在電壓為3.6 V的情況下向6.1負載提供6.1 W的峰值功率。 集成揚聲器電壓和電流檢測可實現對揚聲器的實時監控。這允許在將揚聲器保持在安全操作區域的同時推動峰值SPL。具有防止掉電的電池跟蹤峰值電壓限制器可優化整個充電周期內的放大器裕量,防止系統關閉。 I 2 S /TDM + I中最多可有四個器件共用一個公共總線 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加權空閑信道噪聲 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率為20 - 20 kHz 83.5%效率為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷VBAT電流 揚聲器電壓和電流檢測 VBAT跟蹤峰值電壓限制器,具有欠壓預防 8 kHz至192 kHz采樣率 靈活的用戶界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4個可選擇的地址 MCLK免費操作 低流行并點...
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    TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

    LM358B 雙路運算放大器

    LM358B和LM2904B器件是業界標準的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括兩個高壓(36V)操作放大器(運算放大器)。這些器件為成本敏感型應用提供了卓越的價值,具有低失調(300μV,典型值),共模輸入接地范圍和高差分輸入電壓能力等特點。 LM358B和LM2904B器件簡化電路設計具有增強穩定性,3 mV(室溫下最大)的低偏移電壓和300μA(典型值)的低靜態電流等增強功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF濾波器,可用于最堅固,極具環境挑戰性的應用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封裝,例如TSOT-8和WSON,以及行業標準封裝,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的寬電源范圍(B版) 供應 - 電流為300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的單位增益帶寬(B版) 普通 - 模式輸入電壓范圍包括接地,使能接地直接接地 25°C時低輸入偏移電壓3 mV(A和B型號,最大值) 內部RF和EMI濾波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的產品上,除非另有說明,否則所有參數均經過測試。在所有其他產品上,生產加工不一定包括所有參數的測試。 所...
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    LM358B 雙路運算放大器

    LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

    LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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    LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

    LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

    LM290xLV系列包括雙路LM2904LV和四路LM2902LV運算放大器。這些器件由2.7V至5.5V的低電壓供電。 這些運算放大器可以替代低電壓應用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品.LM290xLV器件在低電壓下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗盡。這些運算放大器具有單位增益穩定性,并且在過驅情況下不會出現相位反轉.ESD設計為LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM規格。 LM290xLV系列采用行業標準封裝。這些封裝包括SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 適用于成本敏感型系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1mV < LI>共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1MHz的 低寬帶噪聲:40nV /√赫茲 低靜態電流:90μA/通道 單位增益穩定 可在2.7V至5.5V的電源電壓下運行 提供雙通道和四通道型號< /li> 嚴格的ESD規格:2kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
    發表于 01-08 17:51 ? 261次 閱讀
    LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

    LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器

    LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
    發表于 01-08 17:51 ? 284次 閱讀
    LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器
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