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    電子發燒友網 > 模擬技術 > 正文

    在基站射頻功率放大器上硅電容器解決方案

    2020年05月22日 15:00 ? 次閱讀

    伴隨高速大容量5G通信技術而來的信號寬帶化及挑戰

    為了達到相當于現行網速100倍的10Gbps,如何利用比現行帶寬寬數倍至數十倍的帶寬已成為一大研究課題。但眾所周知,若以大功率輸出寬帶信號,功率放大器模塊(PAM)內將會出現互調失真(IMD)問題,降低信號完整性。IMD的頻率與帶寬成正比例關系,2階IMD中造成問題的頻率在Sub6GHz中最大達到400MHz,在毫米波中則達到數GHz。

    應用對象:基站的射頻功率放大器模塊

    在基站射頻功率放大器上硅電容器解決方案

    去耦解決方案

    利用硅電容器的解決方案

    以下將介紹消除二階IMD的方法。IMD的低頻段可通過與場效應管的漏極相連的偏置電路消除,但是IMD的高頻段因為受到用于RF-Blocking的微帶線等的影響,難以在功率放大器模塊外消除。在此要介紹的方法就是,將硅電容器(Si-Cap)直接用于功率放大器模塊內的金屬基板上,通過打線方式將硅電容與FET連接。

    通過這種方法,利用在實際使用條件下能夠保持大容量的小型硅電容器,可以在功率放大器模塊的有限空間內消除IMD。

    硅電容器的特點

    讓小型 × 大容量在實際使用條件(外施電壓時及高溫環境)下得到實現

    硅電容器采用村田獨家技術通過深溝槽及三角架支柱的結構,獲得了比平面結構大100倍的電極表面積,實現了緊湊封裝。另外,因為硅電容器的電介質使用了溫度補償類材料,所以在實際使用條件下容量不會減少,達到了上下電極式小型產品領域中的最大級別靜電容量密度。

    單芯片中實現各功率放大器模塊所需的最合適的靜電容量和阻值

    村田除了提供標準類硅電容器產品外,還可根據客戶需求定制IPD(集成無源器件)。IPD方案可以在單個芯片中根據期望的個數集成想要的容量和阻值。因此,我們有能力制作標準產品線中沒有的大容量電容器、以及為了抑制反共振的串聯阻容等產品。

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